模塊化概念，Laser MBE可以輕松升級(jí)到中央傳輸模塊或其他模塊
UHV PLD主腔室、利用Load-lock實(shí)現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸
先進(jìn)的工藝自動(dòng)化功能，可實(shí)現(xiàn)超晶格生長(zhǎng)
溫度測(cè)量準(zhǔn)確的耐氧襯底加熱器，最高1000 ℃，也可以選配激光加熱
靶臺(tái)可以屏蔽交叉污染，傳輸整個(gè)carrousel而非單個(gè)靶材
真空腔室利于系統(tǒng)升級(jí)（RHEED，等離子體源，OES/FTIR等）
SURFACE激光能量密度控制選件，100%的結(jié)果可重復(fù)性
全封閉光路，安全省事
整套交付，先進(jìn)的在線支持
SURFACE的Laser MBE腔室專(zhuān)為科研而設(shè)計(jì)，并提供高級(jí)Laser MBE需要的所有特征。
襯底和靶材的UHV傳輸
冷壁設(shè)計(jì)防止沉積過(guò)程中腔壁放氣
原位分析窗口和法蘭口（RHEED，OES或FTIR，質(zhì)譜儀）
沉積源和等離子體源備用法蘭口
先進(jìn)的SURFACE襯底加熱器或激光加熱
靶臺(tái)最多可存貯5個(gè)1寸靶材
Laser MBE可以選配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以確保薄膜沉積的重復(fù)性。在每一步沉積前，自動(dòng)校準(zhǔn)激光能量密度，脈沖能量隨著時(shí)間推移而始終保持恒定。
Loadlock腔室最多可同時(shí)裝載5個(gè)樣品和2個(gè)靶臺(tái)carrousel。
SURFACE的Laser MBE設(shè)備均是高度自動(dòng)化的，可以自動(dòng)控制整個(gè)沉積過(guò)程，從而確保設(shè)備易于操作。
多個(gè)工藝步驟被合并到一個(gè)沉積程序中，直觀的工藝過(guò)程可視化操作，高度靈活的數(shù)據(jù)記錄和導(dǎo)出，優(yōu)異的自我測(cè)試能力。
Laser MBE可以輕松升級(jí)為功能齊備的cluster系統(tǒng)。在PLD主腔室和Load-lock進(jìn)樣室中間插入中央cluster傳輸模塊。模塊化設(shè)計(jì)和輪式支架簡(jiǎn)化了升級(jí)過(guò)程，可根據(jù)需要和預(yù)算來(lái)升級(jí)系統(tǒng)。
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