美國(guó)Creative Design Engineering, 簡(jiǎn)稱“CDE”，成立于1995年，位于美國(guó)加州硅谷的庫(kù)比蒂諾 - Cupertino, CDE公司專注于四探針設(shè)備的生產(chǎn)和銷售，累計(jì)銷量達(dá)1000臺(tái)以上，遍布世界各大半導(dǎo)體Fab, 太陽(yáng)能光伏企業(yè)，大學(xué)及科研機(jī)構(gòu)，“CDE”是四探針領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌。

CDE的使命是開發(fā)和制造生產(chǎn)高價(jià)值的，高性能，成本低為半導(dǎo)體制計(jì)量產(chǎn)品及相關(guān)行業(yè)

CDE已制造并交付了超過(guò)1000 套resmap電阻率測(cè)試系統(tǒng)，大約24%用于 300mm測(cè)量。最近，該公司已交付的太陽(yáng)能電池的開發(fā)和生產(chǎn)支持多個(gè)單位。

CDE是位于硅谷的心臟地帶，提供世界范圍內(nèi)的銷售和服務(wù)代表網(wǎng)絡(luò)支持。

特點(diǎn)簡(jiǎn)述:
CDE ResMap的特點(diǎn)如簡(jiǎn)述如下: * 高速穩(wěn)定及專利自動(dòng)決定范圍量測(cè)與傳送,通過(guò)性高 * 數(shù)字測(cè)量方式及每點(diǎn)高達(dá)4000筆數(shù)據(jù)搜集,表現(xiàn)良好重復(fù)性及再現(xiàn)性 * Windows 操作接口及軟件操作簡(jiǎn)單 * 新制程表現(xiàn)佳(銅制程低電阻率1.67mΩ-cm及Implant高電阻2KΩ/□以上,皆可達(dá)成高精確度及重復(fù)性) * 體積小,占無(wú)塵室面積少 * 校正簡(jiǎn)單,且校正周期長(zhǎng) * 可配合客戶需求,增強(qiáng)功能與適用性 * 300mm 機(jī)種可以裝2~4個(gè)量測(cè)頭,并且可以Recipe設(shè)定更換.

CDE 提供自動(dòng)計(jì)算機(jī)量測(cè)的四點(diǎn)探針阻值量測(cè)機(jī)臺(tái)。快速，精確與軟件控制下針、軟件功能可最佳化下針壓力，即使薄片量測(cè)也不易破裂。自動(dòng)清針(Probe Conditioning);動(dòng)作，雙針頭切換。太陽(yáng)能使用可支持自動(dòng)Loader，300mm 機(jī)臺(tái)可使用Front End，最多擴(kuò)充3個(gè)量測(cè)單元，支持Semi標(biāo)準(zhǔn)接口。
CDE　ResMap–CDE　公司生產(chǎn)之電阻值測(cè)試系統(tǒng)是以四探針的工藝，以配合各半導(dǎo)體成光伏生產(chǎn)廠家進(jìn)出之生產(chǎn)品質(zhì)監(jiān)控，超卓可靠又簡(jiǎn)易操作的設(shè)備是半導(dǎo)體及光伏生產(chǎn)廠家不可缺少的。

美國(guó)CDE公司的四探針/方塊電阻/電阻率測(cè)試設(shè)備：178（最普及型號(hào)）

測(cè)量尺寸：晶圓尺寸：2-8寸（273系列可測(cè)量大至12寸晶圓，575系列可測(cè)量大至450mm 18寸晶圓）世界首款!

              方形片：大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm

· 測(cè)量范圍： 0.001歐姆/平方 至 500000歐姆/平方（標(biāo)準(zhǔn)型）

· 測(cè)量方式： 電腦程序自動(dòng)測(cè)量，或不連電腦單測(cè)量主機(jī)也可實(shí)現(xiàn)測(cè)量和數(shù)據(jù)顯示，此時(shí)非常適合測(cè)試不規(guī)整樣片單點(diǎn)測(cè)量，適合實(shí)際研究需要。

· 測(cè)量的數(shù)據(jù)： 方塊電阻/電阻率/薄膜厚度，根據(jù)具體應(yīng)用可以設(shè)置不同測(cè)量程序。

· 測(cè)量的點(diǎn)數(shù)： 程序編排任意測(cè)量點(diǎn)位置及測(cè)量點(diǎn)數(shù)量，對(duì)應(yīng)不同客戶不同測(cè)量要求任意編程測(cè)量點(diǎn)位置與數(shù)量。

· 測(cè)量的精確度：<0.1% （標(biāo)準(zhǔn)模阻）；

· 測(cè)量重復(fù)性：重復(fù)性≤ ±0.02% (靜態(tài)或者標(biāo)準(zhǔn)電阻)

· 測(cè)量速度：>49點(diǎn)/分鐘；

· 測(cè)量數(shù)據(jù)處理：根據(jù)需要顯示2D,3D數(shù)值圖，或按要求統(tǒng)計(jì)并輸出Excel格式文件；

· 邊緣修正：具有邊緣修正功能，即片子邊緣1.5mm以內(nèi)區(qū)域都能測(cè)量；

· 軟件控制下針：快速，精確與軟件控制下針、軟件功能可最佳化下針壓力，即使薄片量測(cè)也不易破裂。自動(dòng)清針(Probe Conditioning);動(dòng)作，雙針頭切換。

· 探針壓力可調(diào)范圍：軟件控制,90-200克之間可調(diào)；

· 可供選擇的探頭類型：根據(jù)測(cè)試不同工藝要求有A, B,K, M, N等相關(guān)型號(hào)探頭選擇，另外還可提供專門為客戶定制的應(yīng)用特殊要求的探針.

· 太陽(yáng)能使用可支持自動(dòng)Loader，300mm 機(jī)臺(tái)可使用Front End，最多擴(kuò)充3個(gè)量測(cè)單元，支持Semi標(biāo)準(zhǔn)接口。

· 設(shè)備應(yīng)用：

IC FAB/FP dispaly/LED：擴(kuò)散，離子注入等摻雜工藝監(jiān)控調(diào)試，薄膜電阻率或厚度測(cè)量等工序，如

Apple ADL Engineering, Inc.ADL Engineering, Inc.Air ProductsAixtron, Inc.Amkor

Amkor Technology Singapore Holding Pte. LtdApplied Materials, Inc.ASE

ASM Microchemistry Ltd.ATMIAtotechAvantor Performance Materials

Beijing NMC Co., Ltd.ChipBond ChipMOS Clarkson University

Fujimi CorporationISMI Giraffe Microelectronics Co. Ltd. (Qinghua University)

Hionix Hynix IBM Inter molecular

JiangSu Lam Research Lam Research SEZ/Aus

Leading Precision, Inc Maxim Integrated Products

MEMC Northrop Grumman PacTech

Powertech Technology Inc. Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd.

Siltronic Spansion SPIL SUMCO TEL NEXX, Inc.TSMC University of California

Intel，IBM，Motorola，TSMC，CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,,Osram,...